大连Microled显示屏工厂

    MicroLED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在50um以内，每一个LED像素都能自发光，以矩阵形式高密度地集成在一个芯片上的显示器件。与传统LED显示屏相比，MicroLED具有两大特征，一是微缩化，其像素大小和像素间距从毫米级降低至微米级:二是矩阵化和集成化，其器件结构包括CMOS工艺制备的LED显示驱动电路和LED矩阵阵列。MicroLED显示一般采用成熟的多量子阱LED芯片技术。以典型的InGaN基LED芯片为例，MicroLED像素单元结构从下往上依次为蓝宝石衬底层、25nm的GaN缓冲层、3μm的N型GaN层、包含多周期量子阱(MQW)的有源层、μm的P型GaN接触层、电流扩展层和P型电极。像素单元加正向偏电压时，P型GaN接触层的空穴和N型GaN层的电子均向有源层迁移，在有源层电子和空穴发生电荷复合，复合后能量以发光形式释放。 Micro LED是自发光技术，在色彩表现力上不仅不逊于 OLED，同时也可以实现透明显示和柔性显示。大连Microled显示屏工厂

除了上述优势之外，MicroLED显示屏还具有广视角、响应时间短等优点。它可以在较大的角度下观看仍然保持图像的清晰和色彩鲜艳，同时响应时间也很快，从而提高了用户的视觉体验。MicroLED显示屏的应用场景非常广。例如，在智能手机、笔记本电脑、电视、显示器等领域都有很多的应用。此外，它还可以用于交通指挥系统、广告牌、虚拟现实等领域。总的来说，MicroLED显示屏具有许多明显的优势，它的高亮度、低能耗、易于制造、广视角、响应时间短等优点使得它成为未来显示技术的重要的发展方向。全倒装Microled显示屏接受OEMMicroLED显示屏的色彩还原度非常高，可以呈现出真实的色彩。

Micro LED又称微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在50um以内，每一个LED像素都能自发光。微缩化使得Micro LED具有更高的发光亮度、分辨率与色彩饱和度，以及更快的显示响应速度，预期能够应用于对亮度要求较高的增强现实(AR)微型投影装置、车用平视显示器(HUD)投影应用、超大型显示广告牌等特殊显示应用产品，并有望扩展到可穿戴/可植入器件、虚拟现实(VR)、光通讯/光互联、医疗探测、智能车灯、空间成像等多个领域。

先制造出每颗MicroLED 晶体，其体积小的可以小于30纳米——而目前小的mini LED为0.2毫米，一次制造一个，然后用工业机器人包装和组装成一个显示屏，机器人每次都会把它们一个个挑出来，先放到较小的液晶基板上，然后再把基板组装到显示屏上。这种精密组装技术被称为“巨量转移技术”。由于 Micro LED 直接安装到液晶面板上，因此不需背光模块和光学膜片，采用无机材料构成发光层，所以就不容易出现 OLED 烧屏，穿透率更优于 LCD 和 OLED 高达 90%，也能够让显示器更省电。Micro LED显示技术的存在是建立在高精度基础之上的。

1、芯片技术：从芯片的技术角度看，现阶段MicroLED晶圆的波长一致性不满足量产化需求。而且随着芯片尺寸的缩减，发光效率急速降低。在器件构造过程中，感应耦合等离子体刻蚀会造成芯片侧壁的损伤，进而影响芯片发光特性和可靠性。2、背板技术：消费电子领域MicroLED技术使用的背板有两种：印刷电路板和玻璃基板。由于刷电路板的膨胀收缩比率较大，且容易翘曲，会造成巨量转移效果不良。玻璃基板的尺寸稳定性好，但其横向和纵向尺寸变化非等向，对加工工艺要求高。Micro LED在各个技术环节所面临的技术瓶颈是共性的。大连Microled显示屏工厂

与LCD显示技术不同，Micro LED显示上表面没有滤光片，抗环境光能力差。大连Microled显示屏工厂

接合技术：Micro LED的接合技术主要分3种：预置锡膏技术、金属共晶键合技术、微管技术。由于Micro LED电极之间距离很小，使用锡膏工艺容易造成芯片正负极之间导通，形成微短路现象。随着芯片尺寸的缩小，芯片与驱动电路基底热膨胀系数的差异使得共晶键合只适用于20μm以上芯片。而微管技术一般用于10μm以下接合。驱动技术：Micro LED显示中每个红绿蓝像素配置一个驱动Micro-IC。Micro-IC能通过占空比来调整亮度和色阶。由于驱动电流太小，通常会出现低灰阶下亮度、色度不稳定的问题。大连Microled显示屏工厂

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