大连三相整流调压模块组件

时间:2020年04月17日 来源:

    红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。2.检查触发能力如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通;脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。3.检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力。4.估测关断增益βoff进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数;K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节′。正高电气运用高科技,不断创新为企业经营发展的宗旨。大连三相整流调压模块组件

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    1、过流保护如果想得到较安全的过流保护,建议用户优先使用内部带过流保护作用的模块。另外还可采用外接快速熔断器、快速过电流继电器、传感器的方法。快速熔断器是最简单常用的方法,介绍如下:(1)快速熔断器的选择:①、熔断器的额定电压应大于模块输入端电压;②、熔断器的额定电流应为模块标称输入电流的,按照计算值选择相同电流或稍大一点的熔断器。模块输入、输出电流的换算关系参考本本博客有关文章。用户也可根据经验和试验自行确定熔断器的额定电流。(2)接线方法:快速熔断器接在模块的输入端,负载接输出端。2、过压保护晶闸管承受过电压的能力较差,当元件承受的反向电压超过其反向击穿电压时,即使时间很短,也会造成元件反向击穿损坏。如果正向电压超过晶闸管的正向转折电压,会引起晶闸管硬开通,它不仅使电路工作失常,且多次硬开通后元件正向转折电压要降低,甚至失去正向阻断能力而损坏。因此必须采用过电压保护措施用以晶闸管上可能出现的过电压。模块的过压保护,推荐采用阻容吸收和压敏电阻两种方式并用的保护措施。(1)阻容吸收回路晶闸管从导通到阻断时,和开关电路一样,因线路电感(主要是变压器漏感LB)释放能量会产生过电压。枣庄大功率晶闸管模块功能正高电气是多层次的模式与管理模式。

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    当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下几类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压例如,交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压,这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地,开闭速度越快过电压越高,在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。。2)直流侧产生的过电压如切断回路的电感较大或者切断时的电流值较大,都会产生比较大的过电压。这种情况常出现于切除负载、正在导通的晶闸管开路或是快速熔断器熔体烧断等原因引起电流突变等场合。。

    特点:1、芯片与底板电气绝缘2、国际标准封装3、全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力4、350A以下模块皆为强迫风冷,400A以上模块既可选用风冷,也可选用水冷5、安装简单,使用维修方便典型应用:1、交直流电机控制2、各种整流电源3、工业加热控制4、调光5、无触点开关6、电机软起动7、静止无功补偿8、电焊机9、变频器10、UPS电源11、如果产品装机配型不适用,可退换货给您满意贴心的服务,是我们一贯的宗旨!有10多年功率半导体元器件制造经验,是专业从事功率半导体器件的研发、封装、测试、销售、技术服务为一体的高新技术企业,多年来一直从事冶金自动化和铁路电气化领域的国产化工作。我公司的电力半导体器件有:全系列功率模块(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK),软恢复快速整流管(FRD),旋转整流管(ZX)。大功率组合整流元件,普通晶闸管(KP),快速晶闸管(KK),双向晶闸管(KS),逆导晶闸管(KN),可关断晶闸管(GTO),电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件,各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源。正高电气优良的研发与生产团队,专业的技术支撑。

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晶闸管模块产品特点:

1、芯片与基板电绝缘,电压2500V;

2、 国际标准封装;

3、压接结构,优良的温度特性和动力循环能力;

4、输入-输出端之间隔离耐压≥2500VAC;

5、200A以下为强制风冷,300A以上模块,可以选择风冷或水冷。

6、安装简单,使用维修方便,体积小,重量轻。

典型应用:

直流电源、交流开关、焊接设备、电机控制、调光、变频器、UPS电源、无触点开关、电机软起动、蓄电池充放电、静态无功功率补偿、工业加热控制、各种整流电源。 正高电气具备雄厚的实力和丰富的实践经验。广西单相交流调压模块供应商

正高电气公司依托便利的区位和人才优势。大连三相整流调压模块组件

    以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。(2)要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计。逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管SCR相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司(RCA)生产的S3900MF,其外形见图1(c)。它采用TO-220封装,三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下:断态重复峰值电压VDRM:>。大连三相整流调压模块组件

淄博正高电气有限公司位于山东省淄博市,创立于2011-01-06。公司业务分为[ "可控硅模块", "晶闸管智能模块", "触发板", "电力调整器" ]等,目前不断进行创新和服务改进,为客户提供优质的产品和服务。公司从事电子元器件多年,有着创新的设计、强大的技术,还有一批独立的专业化的队伍,确保为客户提供优质的产品及服务。公司凭借深厚技术支持,年营业额度达到500-700万元,并与多家行业知名公司建立了紧密的合作关系。

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